Технологии будущего объединили Японию и США

Крупнейшие американские и японские компании объединяются для создания компонента гаджета будущего — оперативной памяти MRAM. Цель — снизить энергопотребление и уменьшить габариты мобильных устройств следующего поколения. Новинка должна появиться на рынке в 2018 году.

Оперативная память MRAM является принципиально новым запоминающим устройством с произвольным доступом. Данные сохраняются за счет магнитных элементов. Это основное отличие и преимущество перед энергозависимой памятью DRAM. Ведь магниторезистивная память сохраняет данные без внешнего питания. Кроме того, память MRAM более емкая, с большей скоростью обмена данными и меньшим потреблением энергии в процессе работы.

В группу интеллектуального объединения компаний, принимающих участие в разработке революционной новинки, входят Renesas Electronics, Shin-Etsu Chemical, Tokyo Electron, Micron Technology. Всего насчитывается порядка 20 компаний. Новообразованный консорциум стремится продвинуть MRAM как новый мировой стандарт оперативной памяти. Ученые оптимистично заявляют: через несколько лет выпуск новой «оперативки» запустят в коммерческих масштабах.

Журналисты «Плюс и Минус» сообщают, что сама концепция памяти MRAM известна ученым уже не первый год. Технология разрабатывалась еще с 90-х годов прошлого века, но все преимущества такой памяти до сих пор полностью не используются.

К слову, сегодня уже существуют компании, которые выпускают ограниченные партии магниторезистивной памяти. К примеру, Everspin Technologies выпускает MRAM-платы. Предприятие может вырваться в лидеры поставок на рынке, если успеет развернуть продажу работоспособных компонентов в больших объемах до того, как новый консорциум добьется своей цели.

Работа над проектом стартует в феврале следующего года. Разработчики избрали местом локации север Японии. В японском Тохоку будут проводиться масштабные исследовательские работы.